Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit Silzium-Kohlenstoff-Sauerstoff Dielektrikum mit verbesserter Haftung an metallischer Barriereschicht
EP1429383
Art B1
20. Juli 2011
Anmelder: TEXAS INSTRUMENTS INC., Texas Instruments Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1429383
- Aktenzeichen
- EP03104678
- Anmeldetag
- 12. Dezember 2003
- Veröffentlichung
- 20. Juli 2011
- Erteilung
- 20. Juli 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- TEXAS INSTRUMENTS INC.
Texas Instruments Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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Holt, Michael
Northampton, Großbritannien
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