Halbleiteranordnung mit Flankendetektor sowie Verfahren zur Aktivierung solcher Halbleiteranordnung

EP1431981 Art A3 6. April 2005

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, Infineon Technologies AG 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1431981
Aktenzeichen: EP03028728
Anmeldetag: 12. Dezember 2003
Veröffentlichung: 6. April 2005
Rechtsraum: EP
IPC: G11C7/20G11C5/14G11C11/4072

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Kabushiki Kaisha Toshiba
Infineon Technologies AG
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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