Verfahren zur Herstellung eines resistiven 1T1R Speicherzellenfeldes
EP1431982
Art B1
2. August 2006
Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha, SHARP KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1431982
- Aktenzeichen
- EP03254031
- Anmeldetag
- 25. Juni 2003
- Veröffentlichung
- 2. August 2006
- Erteilung
- 2. August 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/34H01L45/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Sharp Kabushiki Kaisha
SHARP KABUSHIKI KAISHA - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sharp
Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.
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Vertreten von
Brown, Kenneth Richard
London, Großbritannien
983
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