Integriertes Bauelement mit Schottky-diode und mit MOS Transistor und zugehöriges Herstellungsverfahren
EP1432037
Art B1
3. Dezember 2008
Anmelder: STMicroelectronics Srl, STMicroelectronics S.r.l. 🇮🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1432037
- Aktenzeichen
- EP03079092
- Anmeldetag
- 16. Dezember 2003
- Veröffentlichung
- 3. Dezember 2008
- Erteilung
- 3. Dezember 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics Srl
STMicroelectronics S.r.l. - Land
- 🇮🇹 Italien
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
3.785 Patente in unserer Datenbank
🇮🇹
STMicroelectronics Italy
Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
2.334 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Mittler, Enrico
Milano, Italien
795
Patente gesamt
32
Fachgebiete
19
Anmelder-Länder
Schwerpunkte