Vorrichtung zum Verhindern der Seitlichen Oxidation in einem Transistor unter Verwendung einer Ultradünnen Sauerstoffdiffusionsbarriere
EP1433196
Art B1
14. März 2007
Anmelder: Intel Corporation, INTEL CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1433196
- Aktenzeichen
- EP03788307
- Anmeldetag
- 31. Juli 2003
- Veröffentlichung
- 14. März 2007
- Erteilung
- 14. März 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L29/49
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Intel Corporation
INTEL CORPORATION - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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Boehmert & Boehmert
München, Deutschland
Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.
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