Verfahren zur Herstellung von MOS Bauelementen mit Zweischicht Polysilizium Technik
EP1434257
Art B1
15. September 2010
Anmelder: STMicroelectronics S.r.l., STMicroelectronics Srl 🇮🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1434257
- Aktenzeichen
- EP03104939
- Anmeldetag
- 23. Dezember 2003
- Veröffentlichung
- 15. September 2010
- Erteilung
- 15. September 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/115H01L21/8247H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics S.r.l.
STMicroelectronics Srl - Land
- 🇮🇹 Italien
🇮🇹
STMicroelectronics Italy
Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
2.334 Patente in unserer Datenbank
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
3.785 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Jorio, Paolo
Torino, Italien
2.730
Patente gesamt
34
Fachgebiete
31
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Leinweber & Zimmermann
Leinweber & Zimmermann · München