MOS-Bauelement mit Seitenkontakt und dessen Herstellung mittels zweier Polysiliziumschichten
Anmelder: STMicroelectronics Srl, STMicroelectronics S.r.l. 🇮🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1434258
- Aktenzeichen
- EP03104938
- Anmeldetag
- 23. Dezember 2003
- Veröffentlichung
- 20. Juli 2011
- Erteilung
- 20. Juli 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8247H01L27/115H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics Srl
STMicroelectronics S.r.l. - Land
- 🇮🇹 Italien
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
3.785 Patente in unserer Datenbank
Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
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Fachgebiete
Carpmaels & Ransford gehört zu den ältesten IP-Kanzleien überhaupt und geht auf eine 1776 gegründete Patentagentur zurück. Von London, München und Dublin aus führt sie als eine der wenigen Häuser Parallelverfahren vor EPA, UPC und britischen Gerichten aus einem Team.
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