Verfahren zur Herstellung eines dotierten Bereiches in einem Halbleitersubstrat
EP1434260
Art B1
4. April 2012
Anmelder: Texas Instruments Incorporated, TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1434260
- Aktenzeichen
- EP03104373
- Anmeldetag
- 25. November 2003
- Veröffentlichung
- 4. April 2012
- Erteilung
- 4. April 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Texas Instruments Incorporated
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
4.306 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Holt, Michael
Northampton, Großbritannien
1.203
Patente gesamt
19
Fachgebiete
7
Anmelder-Länder
Schwerpunkte