Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement unter Verwendung der Transfertechnik
EP1434264
Art A3
18. Januar 2017
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1434264
- Aktenzeichen
- EP03029476
- Anmeldetag
- 19. Dezember 2003
- Veröffentlichung
- 18. Januar 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/68H01L21/20H01L21/762H01L23/31H01L25/065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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