Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement
EP1434272
Art B1
15. Juni 2011
Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, SANYO ELECTRIC CO., LTD., Sanyo Electric Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1434272
- Aktenzeichen
- EP02777783
- Anmeldetag
- 10. September 2002
- Veröffentlichung
- 15. Juni 2011
- Erteilung
- 15. Juni 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
SANYO ELECTRIC CO., LTD.
Sanyo Electric Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
147 Patente in unserer Datenbank
🇯🇵
Sanyo Electric
Ehemaliger japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Osaka, seit 2011 Teil des Panasonic-Konzerns. Sanyo war aktiv in Unterhaltungselektronik, Halbleitern, Batterietechnik und Solartechnologie.
1.709 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Faulkner, Thomas John
London, Großbritannien
451
Patente gesamt
31
Fachgebiete
13
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Smith, Norman Ian
NoneLondon