Verfahren zur Herstellung Dünner Schichten, die Mikrokomponenten Enthalten
EP1435111
Art B1
8. Dezember 2010
Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives, Commissariat A L'Energie Atomique 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1435111
- Aktenzeichen
- EP02785528
- Anmeldetag
- 8. Oktober 2002
- Veröffentlichung
- 8. Dezember 2010
- Erteilung
- 8. Dezember 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
Commissariat A L'Energie Atomique - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
5.929 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Quantin, Bruno Marie Henri
Paris, Frankreich
210
Patente gesamt
31
Fachgebiete
11
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Quantin, Bruno
NoneParis