Mis-Anordnung mit Graben-Gateelektrode und Verfahren zu deren Herstellung

EP1435115 Art B1 4. Oktober 2017

Anmelder: SILICONIX Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1435115
Aktenzeichen
EP02794662
Anmeldetag
5. August 2002
Veröffentlichung
4. Oktober 2017
Erteilung
4. Oktober 2017
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/78H01L29/423H01L21/336
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
SILICONIX Incorporated
Land
🇺🇸 USA

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Kirschner, Klaus Dieter München, Deutschland
823
Patente gesamt
32
Fachgebiete
23
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Halbleiter & Elektrische Bauelemente Akustik, Musik & Datenspeicherung Software & Datenverarbeitung Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Nachrichtentechnik & Telekommunikation Metallurgie & Oberflächentechnik
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