Methoden zur Herstellung eines Transistor-Gates
EP1435649
Art A3
5. Januar 2005
Anmelder: TEXAS INSTRUMENTS INC., Texas Instruments Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1435649
- Aktenzeichen
- EP03104979
- Anmeldetag
- 24. Dezember 2003
- Veröffentlichung
- 5. Januar 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/51H01L21/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- TEXAS INSTRUMENTS INC.
Texas Instruments Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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Holt, Michael
Northampton, Großbritannien
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