Apparat zur Behandlung eines Halbleiterwafers, und Methode zur Herstellung eines Monokristallinen Siliziumwafers und Epitoxie-Siliziumwafers

EP1435652 Art A1 7. Juli 2004

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., Shin-Etsu Handotai Co., Ltd 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1435652
Aktenzeichen
EP02772898
Anmeldetag
25. September 2002
Veröffentlichung
7. Juli 2004
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/68H01L21/205
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen