Verfahren zur Charakterisierung eines Implantationsschrittes in einem Substrat
EP1440467
Art B1
22. Juni 2011
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1440467
- Aktenzeichen
- EP02783214
- Anmeldetag
- 26. September 2002
- Veröffentlichung
- 22. Juni 2011
- Erteilung
- 22. Juni 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/66H01L21/265G01R31/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Vertreten von
Callon de Lamarck, Jean-Robert
Paris, Frankreich
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