Verfahren zur Herstellung einer kristallinen Spannungsschicht auf einem Isolator, halbleitende Struktur dafür und so hergestellte Halbleiterstruktur

EP1443550 Art A1 4. August 2004

Anmelder: Soitec, S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A. 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1443550
Aktenzeichen: EP03290231
Anmeldetag: 29. Januar 2003
Veröffentlichung: 4. August 2004
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Soitec
S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A.
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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