Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung zur Verbesserung der Adhäsion einer Kupferschicht auf einer Barriereschicht

EP1443551 Art A3 12. Januar 2005

Anmelder: NEC Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1443551
Aktenzeichen: EP04001235
Anmeldetag: 21. Januar 2004
Veröffentlichung: 12. Januar 2005
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NEC Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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