Verfahren zur Vermeidung von Transienten bei Schaltvorgängen in Integrierten Schaltkreisen sowie Integrierter Schaltkreis
EP1444781
Art B1
3. August 2011
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1444781
- Aktenzeichen
- EP02776841
- Anmeldetag
- 18. Oktober 2002
- Veröffentlichung
- 3. August 2011
- Erteilung
- 3. August 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03K17/16H03K19/003
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Lange, Thomas
München, Deutschland
117
Patente gesamt
10
Fachgebiete
2
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Lange, Thomas, Dr
NoneMünchen