Verfahren zur Kristallzüchtung eines Nitrid-Halbleiters

EP1445355 Art A3 24. Mai 2006

Anmelder: LG Electronics, Inc. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1445355
Aktenzeichen
EP04001157
Anmeldetag
21. Januar 2004
Veröffentlichung
24. Mai 2006
Rechtsraum
EP
IPC
C30B25/02C30B29/40H01L21/00
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
LG Electronics, Inc.
Land
🇰🇷 Südkorea
🇰🇷 LG Electronics

Südkoreanischer Elektronikkonzern der LG-Gruppe. Entwickelt und produziert Haushaltsgeräte, Fernseher, Klimaanlagen, Mobilgeräte sowie Komponenten für Fahrzeuge und Kommunikationstechnik.

16.295 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik
Vertreten von
Trinks, Ole Meissner Bolte Patentanwälte Augsburg, Deutschland
3.014
Patente gesamt
34
Fachgebiete
22
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Fahrzeugtechnik (Automobil, Bahn & Schiff) Heiz-, Kühl- & Beleuchtungstechnik Software & Datenverarbeitung Medizintechnik & Gesundheit
Zum Anwaltsprofil
Kanzlei
Meissner Bolte Patentanwälte Bremen, Deutschland

Meissner Bolte zählt zu den traditionsreichen deutschen IP-Kanzleien und ist seit über einem Jahrhundert im gewerblichen Rechtsschutz tätig, mit Standorten in Deutschland und Großbritannien sowie einem eigenen Asia-Desk für internationale Mandanten.

18.416
Patente gesamt
28
Patentanwälte
9
Standorte
Weitere Vertreter

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen