Halbleitervorrichtung und sein Steurungsverfahren

EP1447911 Art B1 20. Juni 2012

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1447911
Aktenzeichen: EP04002477
Anmeldetag: 4. Februar 2004
Veröffentlichung: 20. Juni 2012
Erteilung: 20. Juni 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H03K19/017H03K19/0185

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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