Verfahren zur Herstellung eines Oxynitridspacers für eine Metallische Gate-Elektrode durch ein Pecvd Prozess in Siliziumarmer Atmosphäre

EP1449243 Art A1 25. August 2004

Anmelder: Globalfoundries Inc., GlobalFoundries, Inc., ADVANCED MICRO DEVICES, INC., ADVANCED MICRO DEVICES INC. 🇰🇾

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1449243
Aktenzeichen
EP02784088
Anmeldetag
11. Oktober 2002
Veröffentlichung
25. August 2004
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/318H01L21/28H01L29/49
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Globalfoundries Inc.
GlobalFoundries, Inc.
ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
ADVANCED MICRO DEVICES INC.
Land
🇰🇾 KY
🇺🇸 Advanced Micro Devices

US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.

1.708 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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