Hochtemperatur-Wachstum einer Zwischenschicht für ein Gate-Dielektrikum mit hohem K

EP1450395 Art A3 13. April 2005

Anmelder: Texas Instruments Incorporated, TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1450395
Aktenzeichen
EP04100598
Anmeldetag
13. Februar 2004
Veröffentlichung
13. April 2005
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/316H01L21/28C23C16/40H01L29/51
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Texas Instruments Incorporated
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik
Vertreten von
Zeller, Andreas Texas Instruments Deutschland GmbH · Inhouse Freising, Deutschland
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