Verfahren zur Herstellung von Kondensatoren und von Dielektrischen Schichten für Kondensatoren
EP1451862
Art B1
11. März 2009
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1451862
- Aktenzeichen
- EP02794081
- Anmeldetag
- 27. November 2002
- Veröffentlichung
- 11. März 2009
- Erteilung
- 11. März 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/318H01L21/314
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Vertreten von
Hackett, Sean James
Birmingham, Großbritannien
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