Gassensitiver Feldeffekttransistor mit einer gassensitiven Schicht und Verfahren zu deren Herstellung

EP1452862 Art A1 1. September 2004

Anmelder: Micronas GmbH, SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1452862
Aktenzeichen
EP04100809
Anmeldetag
1. März 2004
Veröffentlichung
1. September 2004
Rechtsraum
EP
IPC
G01N27/414
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Micronas GmbH
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Micronas

Micronas war ein deutsch-schweizerisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Freiburg, das inzwischen zu TDK gehört. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik sowie Nachrichtentechnik und Halbleitertechnik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2016.

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🇩🇪 Siemens

Deutscher Technologiekonzern mit Sitz in München und Berlin. Aktiv in Automatisierungstechnik, Digitalisierung, Energie- und Bahntechnik sowie Industriesoftware für Industrie, Infrastruktur und Mobilität.

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