Dünnschicht-Halbleiterbauelement und diesbezügliches Herstellungsverfahren

EP1453086 Art A3 8. März 2006

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1453086
Aktenzeichen
EP04004369
Anmeldetag
26. Februar 2004
Veröffentlichung
8. März 2006
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/336H01L29/786H01L21/84
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen