Asymmetrische Mram-Zelle und Bitentwurf zur Verbesserung der Bitausbeute

EP1454321 Art B1 17. September 2008

Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1454321
Aktenzeichen
EP02803618
Anmeldetag
14. November 2002
Veröffentlichung
17. September 2008
Erteilung
17. September 2008
Rechtsraum
EP
IPC
G11C5/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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