Eingebetteter Dram mit Halbdichte-Rom
EP1454323
Art B1
22. April 2009
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1454323
- Aktenzeichen
- EP02784786
- Anmeldetag
- 12. Dezember 2002
- Veröffentlichung
- 22. April 2009
- Erteilung
- 22. April 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/00G11C11/404G11C17/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Fachgebiete
Vertreten von
Joly, Jean-Jacques
Paris, Frankreich
1.122
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