Verfahren für Zusammengesetzte Trennschicht für Verbesserte Transistoreigenschaften
EP1456877
Art B1
21. Juli 2010
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC., ADVANCED MICRO DEVICES INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1456877
- Aktenzeichen
- EP02796042
- Anmeldetag
- 19. Dezember 2002
- Veröffentlichung
- 21. Juli 2010
- Erteilung
- 21. Juli 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336// H01L29/49
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
ADVANCED MICRO DEVICES INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
1.708 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Wright, Hugh Ronald
London, Großbritannien
229
Patente gesamt
19
Fachgebiete
8
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Schwerpunkte