Verfahren zur Bildung Ultraseichter Übergänge
EP1456883
Art A1
15. September 2004
Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1456883
- Aktenzeichen
- EP02786731
- Anmeldetag
- 15. November 2002
- Veröffentlichung
- 15. September 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/01H01L21/8238H01L21/425
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Varian Semiconductor Equipment Associates Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.
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Vertreten von
Boyce, Conor
Dublin, Irland
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