Elektrisch Programmierter Mos-Transistor mit Source/drain-Serien-Widerstand
EP1456888
Art B1
21. Juli 2010
Anmelder: Globalfoundries Inc., GlobalFoundries, Inc., ADVANCED MICRO DEVICES, INC., ADVANCED MICRO DEVICES INC. 🇰🇾
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1456888
- Aktenzeichen
- EP02794406
- Anmeldetag
- 19. Dezember 2002
- Veröffentlichung
- 21. Juli 2010
- Erteilung
- 21. Juli 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/49H01L29/78H01L29/423H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Globalfoundries Inc.
GlobalFoundries, Inc.
ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
ADVANCED MICRO DEVICES INC. - Land
- 🇰🇾 KY
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
1.708 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Wright, Hugh Ronald
London, Großbritannien
229
Patente gesamt
19
Fachgebiete
8
Anmelder-Länder
Schwerpunkte