Spannungsausgeglichener Nitrid-Heteroübergangstransistor und Methoden zur Herstellung desselben

EP1456889 Art B1 21. September 2011

Anmelder: Cree, Inc., CREE, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1456889
Aktenzeichen
EP02789772
Anmeldetag
20. November 2002
Veröffentlichung
21. September 2011
Erteilung
21. September 2011
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/778H01L29/20
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Cree, Inc.
CREE, INC.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

1.232 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen