Verfahren zur Herstellung von Verbindungsstrukturen mit Dielektrischen Eigenschaften eines Niedrigen K
EP1459373
Art A1
22. September 2004
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1459373
- Aktenzeichen
- EP02796038
- Anmeldetag
- 26. Dezember 2002
- Veröffentlichung
- 22. September 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/4763H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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Fachgebiete
Kanzlei
Dendorfer & Herrmann
München, Deutschland
Münchner Kanzlei in unmittelbarer Nähe zu DPMA und Europäischem Patentamt, verbindet akademische Expertise mit rechtlichem und sprachlichem Können. Mitgründer Dr. Franz Herrmann promovierte in Physik an der LMU in Kooperation mit dem Max-Planck-Institut, UC Berkeley und NASA Ames.
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