Suszeptor, Gasphasenwachstumseinrichtung, Einrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Epitaxialwafers und Epitaxialwafer
EP1460679
Art A1
22. September 2004
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., Shin-Etsu Handotai Co., Ltd 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1460679
- Aktenzeichen
- EP02783643
- Anmeldetag
- 27. November 2002
- Veröffentlichung
- 22. September 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
1.022 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Jones, Helen M.M
London, Großbritannien
946
Patente gesamt
31
Fachgebiete
20
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Rackham, Stephen Neil
NoneLondon