Halbleiterbauelement und Methode zu seiner Herstellung
EP1460685
Art A1
22. September 2004
Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1460685
- Aktenzeichen
- EP04005583
- Anmeldetag
- 9. März 2004
- Veröffentlichung
- 22. September 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L21/312
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Kabushiki Kaisha Toshiba
Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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Vertreten von
Hofer, Dorothea
München, Deutschland
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