Halbleiterbauelement und Methode zu seiner Herstellung

EP1460685 Art A1 22. September 2004

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1460685
Aktenzeichen
EP04005583
Anmeldetag
9. März 2004
Veröffentlichung
22. September 2004
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/768H01L21/312
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Kabushiki Kaisha Toshiba
Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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