Herstellungsverfahren eines Transistors mit metallischem Gatter und entsprechender Transistor
EP1463102
Art A3
18. Februar 2009
Anmelder: STMicroelectronics S.A., COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1463102
- Aktenzeichen
- EP04290693
- Anmeldetag
- 15. März 2004
- Veröffentlichung
- 18. Februar 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/49H01L21/28
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics S.A.
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
3.785 Patente in unserer Datenbank
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
5.929 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Zapalowicz, Francis
München, Deutschland
267
Patente gesamt
23
Fachgebiete
8
Anmelder-Länder
Schwerpunkte