Verfahren zur Herstellung eines eine vergrabene isolierende Schicht enthaltenden einkristallinen Siliziumkarbidsubstrats und Vorrichtung zu ihrer Durchführung
EP1463108
Art A3
1. Februar 2006
Anmelder: OSAKA PREFECTURE, Hosiden Corporation, Osaka Prefecture, HOSIDEN CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1463108
- Aktenzeichen
- EP04251663
- Anmeldetag
- 23. März 2004
- Veröffentlichung
- 1. Februar 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762H01L21/20C30B29/36H01L21/324C23C16/32C23C16/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- OSAKA PREFECTURE
Hosiden Corporation
Osaka Prefecture
HOSIDEN CORPORATION - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hosiden
Hosiden ist ein japanischer Hersteller von elektronischen Steckverbindern, Sensoren und Wandlerkomponenten. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Nachrichtentechnik, ergänzt durch Software und Optik für Verbindungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis in die Gegenwart.
480 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Beresford, Keith Denis Lewis
London, Großbritannien
4.132
Patente gesamt
33
Fachgebiete
38
Anmelder-Länder
Schwerpunkte