Halbleiterdiode und Verfahren zur Herstellung
EP1463122
Art A3
18. Mai 2005
Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha, SHARP KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1463122
- Aktenzeichen
- EP03254594
- Anmeldetag
- 23. Juli 2003
- Veröffentlichung
- 18. Mai 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/861H01L21/329
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Sharp Kabushiki Kaisha
SHARP KABUSHIKI KAISHA - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sharp
Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.
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Brown, Kenneth Richard
London, Großbritannien
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