Ionenimplantierung und Oberflächenätzung zur Erseugung eines Effektiven Randabschlusses in einem Hochspannungsbipolartransistor mit Heteroübergang
EP1464079
Art B1
5. Oktober 2011
Anmelder: RAYTHEON COMPANY, Raytheon Company 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1464079
- Aktenzeichen
- EP03731896
- Anmeldetag
- 10. Januar 2003
- Veröffentlichung
- 5. Oktober 2011
- Erteilung
- 5. Oktober 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/331H01L29/737H01L21/76
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- RAYTHEON COMPANY
Raytheon Company - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Raytheon Company
US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.
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