Nichtflüchtige Zweitransistor-Halbleiterspeicherzelle sowie Zugehöriges Herstellungsverfahren
EP1466367
Art B1
4. Februar 2009
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1466367
- Aktenzeichen
- EP02791620
- Anmeldetag
- 10. Dezember 2002
- Veröffentlichung
- 4. Februar 2009
- Erteilung
- 4. Februar 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/115H01L21/8246
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Karl, Frank
Baldham, Deutschland
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