Verfahren zur Herstellung einer Nichtflüchtigen Dualbit Halbleiter-Speicherzelle
EP1466370
Art B1
18. Februar 2015
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1466370
- Aktenzeichen
- EP02791621
- Anmeldetag
- 10. Dezember 2002
- Veröffentlichung
- 18. Februar 2015
- Erteilung
- 18. Februar 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/792H01L21/8246H01L27/115H01L29/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Kindermann, Peter
Baldham, Deutschland
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Patente gesamt
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Weitere Vertreter
-
Karl, Frank
NoneBaldham