Verfahren zur Herstellung eines freistehenden Substrates aus monokristallinem Halbleitermaterial
EP1468128
Art B1
23. November 2011
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1468128
- Aktenzeichen
- EP03702513
- Anmeldetag
- 21. Januar 2003
- Veröffentlichung
- 23. November 2011
- Erteilung
- 23. November 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/40C23C16/27H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Vertreten von
Bomer, Françoise Marie
Saint-Grégoire, Frankreich
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