Verfahren zur Herstellung von Trennbaren Halbleiter-Zusammensetzungen, zur Herstellung von Substraten für Elektronische, Optoelektronische und Optische Anwendungen
EP1468444
Art A2
20. Oktober 2004
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1468444
- Aktenzeichen
- EP03700456
- Anmeldetag
- 21. Januar 2003
- Veröffentlichung
- 20. Oktober 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/18H01L21/762H01L33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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🇫🇷
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
323 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Texier, Christian
Paris, Frankreich
926
Patente gesamt
34
Fachgebiete
24
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Schrimpf, Robert
NoneParis