Verfahren zur Herstellung von Trennbaren Halbleiter-Zusammensetzungen, zur Herstellung von Substraten für Elektronische, Optoelektronische und Optische Anwendungen
EP1468444
Art A2
20. Oktober 2004
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1468444
- Aktenzeichen
- EP03700456
- Anmeldetag
- 21. Januar 2003
- Veröffentlichung
- 20. Oktober 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/18H01L21/762H01L33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Fachgebiete
Vertreten von
Texier, Christian
Paris, Frankreich
926
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Schrimpf, Robert
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