Optimiertes Verfahren zum Transferieren einer Siliziumkarbid-Dünnschicht auf einem Empfangsubstrat
EP1468445
Art B1
9. August 2006
Anmelder: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1468445
- Aktenzeichen
- EP03701540
- Anmeldetag
- 21. Januar 2003
- Veröffentlichung
- 9. August 2006
- Erteilung
- 9. August 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/18H01L21/265H01L21/762H01L21/20H01L21/76
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
323 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Bomer, Françoise Marie
Saint-Grégoire, Frankreich
76
Patente gesamt
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Fachgebiete
4
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Schwerpunkte