Herstellungsverfahren einer Gate-Struktur von einem Feldeffekttransistor
EP1469510
Art A3
13. April 2005
Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1469510
- Aktenzeichen
- EP04009164
- Anmeldetag
- 16. April 2004
- Veröffentlichung
- 13. April 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/311H01L21/3213
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Applied Materials, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
10.783 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Zimmermann, Gerd Heinrich
München, Deutschland
751
Patente gesamt
31
Fachgebiete
7
Anmelder-Länder
Schwerpunkte