MOSFET mit Schottky Source und Drain Kontakten und Verfahren zur Herstellung
EP1469525
Art B1
25. Mai 2011
Anmelder: Electronics and Telecommunications Research Institute 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1469525
- Aktenzeichen
- EP03258260
- Anmeldetag
- 31. Dezember 2003
- Veröffentlichung
- 25. Mai 2011
- Erteilung
- 25. Mai 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/786H01L29/08H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Electronics and Telecommunications Research Institute
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
ETRI (Electronics and Telecommunications Research Institute)
Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Daejeon. Forscht in Telekommunikation, Halbleitertechnik, künstlicher Intelligenz, Rundfunktechnik und Informations- und Kommunikationstechnologien.
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Fachgebiete
Vertreten von
Johnstone, Helen Margaret
Nottingham, Großbritannien
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19
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