Halbleiterbaustein mit einer Isolationsschicht und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbausteins mit Isolationsschicht
EP1470578
Art A1
27. Oktober 2004
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1470578
- Aktenzeichen
- EP03734672
- Anmeldetag
- 16. Januar 2003
- Veröffentlichung
- 27. Oktober 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/314H01L21/28H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Beck, Josef
München, Deutschland
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