Verfahren für Zweischicht-HDP-CVD und PE-CVD-Deckschicht in hochentwickelten BEOL-Verbindungsstrukturen
EP1470580
Art B1
28. Dezember 2011
Anmelder: International Business Machines Corporation, Infineon Technologies AG, Infineon Technologies North America Corp. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1470580
- Aktenzeichen
- EP02784578
- Anmeldetag
- 22. November 2002
- Veröffentlichung
- 28. Dezember 2011
- Erteilung
- 28. Dezember 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L23/532
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- International Business Machines Corporation
Infineon Technologies AG
Infineon Technologies North America Corp. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
IBM
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
9.753 Patente in unserer Datenbank
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Pyecroft, Justine Nicola C
Winchester, Großbritannien
149
Patente gesamt
15
Fachgebiete
2
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Watson, Justine Nicola C
NoneWinchester