Verfahren für Zweischicht-HDP-CVD und PE-CVD-Deckschicht in hochentwickelten BEOL-Verbindungsstrukturen
Anmelder: International Business Machines Corporation, Infineon Technologies AG, Infineon Technologies North America Corp. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1470580
- Aktenzeichen
- EP02784578
- Anmeldetag
- 22. November 2002
- Veröffentlichung
- 28. Dezember 2011
- Erteilung
- 28. Dezember 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L23/532
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- International Business Machines Corporation
Infineon Technologies AG
Infineon Technologies North America Corp. - Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
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Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Infineon Technologies North America ist die US-amerikanische Tochtergesellschaft des deutschen Halbleiterkonzerns Infineon Technologies. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeicherung und Schaltungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis 2015.
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Fachgebiete
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Watson, Justine Nicola C
NoneWinchester