Verringerung der Negativ-Vortemperaturinstabilität bei Pmos mit Schmaler Breite unter Verwendung von F2-Implantation
EP1470582
Art B1
16. Juni 2010
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1470582
- Aktenzeichen
- EP03734669
- Anmeldetag
- 14. Januar 2003
- Veröffentlichung
- 16. Juni 2010
- Erteilung
- 16. Juni 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Barth, Stephan Manuel
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