Herstellungsverfahren für Nichtflüchtige Widerstandsveränderbare Bauelemente und Herstellungsverfahren für Silber-Selenide Beinhaltende Strukturen
EP1470589
Art B1
16. April 2008
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1470589
- Aktenzeichen
- EP03708848
- Anmeldetag
- 21. Januar 2003
- Veröffentlichung
- 16. April 2008
- Erteilung
- 16. April 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
3.194 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Round, Edward Mark
London, Großbritannien
1.054
Patente gesamt
31
Fachgebiete
27
Anmelder-Länder
Schwerpunkte