Polysilizium-Bipolartransistor und Verfahren zur Herstellung Desselben
EP1474826
Art B1
2. November 2006
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1474826
- Aktenzeichen
- EP03739441
- Anmeldetag
- 23. Januar 2003
- Veröffentlichung
- 2. November 2006
- Erteilung
- 2. November 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/331H01L29/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Schoppe, Fritz
Pullach, Deutschland
2.765
Patente gesamt
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Fachgebiete
23
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Schoppe, Fritz, Dipl.-Ing
NoneMünchen